快速恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,。它屬于PIN結(jié)二極管，即在P型硅材料和N型硅材料之間加入I基,，形成PIN硅片,。由于PD的主要有源區(qū)是勢壘區(qū)，所以可以通過加寬勢壘區(qū)來提高靈敏度,。事實上,，PIN快速恢復(fù)二極管人為地擴大了PN結(jié)勢壘區(qū)的寬度。PIN快速恢復(fù)二極管的有效作用面積主要是具有電場的I型層(勢壘面積),，因此產(chǎn)生光生載流子的有效面積增加,，擴散的影響減弱，結(jié)電容大大減小,。因此,，其光學(xué)檢測的靈敏度和響應(yīng)速度大大提高。

　　快速恢復(fù)二極管的性能特性

　　1,、結(jié)構(gòu)特點

　　快速恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,。在P型和N型硅材料之間添加堿I以形成P-I-N硅芯片。由于基極區(qū)域非常薄,，反向恢復(fù)電荷非常小,，不僅trr值大大降低，而且瞬態(tài)正向壓降也降低,，因此管可以承受高反向操作電壓,。快速恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間通常為幾百納秒,，正向壓降約為0.6V,，正向電流為幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百至幾千伏特,。超快恢復(fù)二極管,。

　　2、反向恢復(fù)時間

　　反向恢復(fù)時間(tr)的定義：電流通過零點和正向轉(zhuǎn)換到指定低值之間的時間間隔,。它是衡量高頻續(xù)流整流裝置性能的重要技術(shù)指標,。反向恢復(fù)電流波形如圖1所示,。IF是正向電流，IRM是最大反向恢復(fù)電流,。Irr是反向恢復(fù)電流,，通常指定Irr=0.1 IRM。當(dāng)t≤t0時,，正向電流I=IF,。當(dāng)t>t0時，整流器上的正向電壓突然變?yōu)榉聪螂妷?，因此正向電流迅速減小,。當(dāng)t=t1時，I=0,。然后反向電流IR流過整流器,，并且IR逐漸增加;在t=t2時達到最大反向恢復(fù)電流IRM值。此后,，在正向電壓的作用下，反向電流逐漸減小,，并在t=t3處達到規(guī)定值Irr,。從t2到t3的反向恢復(fù)過程類似于電容器放電過程。

　　江蘇新邦微半導(dǎo)體有限公司,，是一家集研發(fā),、生產(chǎn)、銷售于一體,，致力于功率半導(dǎo)體封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的廠家,。公司創(chuàng)始人在二三極管行業(yè)深耕18年，服務(wù)客戶1300余家,，公司主營產(chǎn)品為各類功率二極管,、三極管、MOS場效應(yīng)管等半導(dǎo)體電子元器件,，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源,、汽車電子、安防,、工控,、新能源等諸多領(lǐng)域。