1,、二極管

• 在一塊本征半導(dǎo)體中的兩邊摻以不同的雜質(zhì),，使其分別形成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，兩區(qū)交界處形成PN結(jié)（耗盡層,，又稱勢(shì)壘區(qū)）,。

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由于PN結(jié)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),，P區(qū)與N區(qū)原本的電中性被被破壞，兩區(qū)交界處形成耗盡層,，耗盡層中的內(nèi)建電場(chǎng)使少子產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng),，同時(shí)阻止多子擴(kuò)散，最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,，PN結(jié)中無(wú)電流通過(guò),。

內(nèi)建電場(chǎng)產(chǎn)生的勢(shì)壘電壓由制作材料決定，硅材料為[0.6,0.8],，鍺材料為[0.2,0.3],。

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1、加正向電壓（P->N）:勢(shì)壘區(qū)變窄,，多子擴(kuò)散電流隨外加電壓增加迅速上升,，少子漂移電流對(duì)總電流影響可以忽略不計(jì)，PN結(jié)呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)（正向運(yùn)用時(shí)存在門限電壓,，外加電壓超過(guò)這一數(shù)值電流才明顯增長(zhǎng)）,。

2、加反向電壓（N->P）:勢(shì)壘區(qū)變寬,，擴(kuò)散電流趨于零,，此時(shí)通過(guò)PN結(jié)的電流為漂移電流，即反向飽和電流（與溫度相關(guān),，溫度每升高10攝氏度,，反向飽和電流增大一倍），PN結(jié)呈現(xiàn)截止?fàn)顟B(tài),。

2,、三極管

三極管由兩個(gè)通過(guò)基區(qū)耦合的PN結(jié)組成，與二極管相比具有完全不同的特性,。

1,、圖中展示了工作在放大狀態(tài)下的NPN型三極管載流子的傳輸過(guò)程（N區(qū)多子為電子，P區(qū)多子為空穴）,，其中I_En為發(fā)射結(jié)電子注入電流,，I_Ep為發(fā)射結(jié)空穴注入電流,，I_Cn為集電結(jié)電子注入電流，I_Bn為基區(qū)復(fù)合電流,，I_CBO為反向飽和電流,。

2、由于發(fā)射結(jié)正偏,，利于兩端多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，形成I_En與I_Ep,，且由于發(fā)射區(qū)重?fù)诫s,、基區(qū)輕摻雜，故I_En 遠(yuǎn)大于 I_Ep,；注入基區(qū)的電子邊擴(kuò)散邊復(fù)合基區(qū)空穴,，并從基極吸引空穴來(lái)補(bǔ)充，形成I_Bn,；由于集電結(jié)反偏,，擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子由于強(qiáng)電場(chǎng)力的作用越過(guò)集電結(jié)，形成I_Cn,；集電結(jié)的反偏形成了反向飽和電流I_CBO,，該電流與發(fā)射結(jié)無(wú)關(guān)，對(duì)三極管放大作用有害,。