碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶）,，達(dá)到3.09電子伏特,。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍，高達(dá)3.2MV/cm.,，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,，為49w/cm.k,。

它與硅半導(dǎo)體材料一樣，可以制成結(jié)型器件,、場(chǎng)效應(yīng)器件,、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。

其優(yōu)點(diǎn)是：

（1）碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄,，開(kāi)態(tài)電阻小,。比硅器件小100-300倍,。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小,。

（2）碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng)而具有高的擊穿電壓,。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V,，而第一個(gè)商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V,。

（3）碳化硅有高的熱導(dǎo)率，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻,。

（4）碳化硅器件可工作在高溫,，碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC.

（5）碳化硅具有很高的抗輻照能力,。

（6）碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小,，可靠性好,。

（7）碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性,，反向恢復(fù)電流小，開(kāi)關(guān)損耗小,。碳化硅功率器件可工作在高頻（》20KHz）,。

（8）碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)。